A new method to measure fast defect transients in semiconductor and/or insulator samples
  • Metaadatok
Tartalom: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/00381101...
Archívum: REAL
Gyűjtemény: Status = Published
Subject = Q Science / természettudomány: QC Physics / fizika: QC06 Physics of condensed matter / szilárdtestfizika
Subject = T Technology / alkalmazott, műszaki tudományok: TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering / elektrotechnika, elektronika, atomtechnika
Subject = T Technology / alkalmazott, műszaki tudományok: TA Engineering (General). Civil engineering (General) / általános mérnöki tudományok
Subject = Q Science / természettudomány: QC Physics / fizika
Type = Article
Cím:
A new method to measure fast defect transients in semiconductor and/or insulator samples
Létrehozó:
Dózsa, László
Dátum:
1992
Téma:
QC Physics / fizika
QC06 Physics of condensed matter / szilárdtestfizika
TA Engineering (General). Civil engineering (General) / általános mérnöki tudományok
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering / elektrotechnika, elektronika, atomtechnika
Típus:
Article
PeerReviewed
Formátum:
text
Azonosító:
Dózsa, László (1992) A new method to measure fast defect transients in semiconductor and/or insulator samples. SOLID-STATE ELECTRONICS, 35 (2). pp. 228-230. ISSN 0038-1101
Kapcsolat: