Ugrás a tartalomhoz

Barrier inhomogeneity in vertical Schottky diodes on free standing gallium nitride

  • Metaadatok
Tartalom: http://real.mtak.hu/91251/
Archívum: REAL
Gyűjtemény: Status = Published
Subject = Q Science / természettudomány: QC Physics / fizika: QC05 Physical nature of matter / részecskefizika
Type = Article
Cím:
Barrier inhomogeneity in vertical Schottky diodes on free standing gallium nitride
Létrehozó:
Roccaforte, F.
Giannazzo, F.
Alberti, Á.
Spera, M.
Cannas, M.
Cora, I.
Pécz, B.
Iucolano, F.
Greco, G.
Kiadó:
Elsevier
Dátum:
2019
Téma:
QC05 Physical nature of matter / részecskefizika
Tartalmi leírás:
Nyelv:
angol
Típus:
Article
PeerReviewed
info:eu-repo/semantics/article
Formátum:
text
Azonosító:
Roccaforte, F. and Giannazzo, F. and Alberti, Á. and Spera, M. and Cannas, M. and Cora, I. and Pécz, B. and Iucolano, F. and Greco, G. (2019) Barrier inhomogeneity in vertical Schottky diodes on free standing gallium nitride. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 94. pp. 164-170. ISSN 1369-8001
Kapcsolat:
https://doi.org/10.1126/10.1016/j.mssp.2019.01.036
MTMT:30430795 https://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.01.036